Создан рекордно миниатюрный МОП-транзистор

Рекорд миниатюризации удалось установить благодаря применению арсенида галлия-индия. Этот материал широко известен в электронике, но применяется в основном для изготовления лазеров, СВЧ-генераторов, фотодатчиков и светодиодов, а при изготовлении подобных транзисторов ранее не использовался.

При этом эксперты использовали существующие методы обработки — эпитаксию и травление электронным лучом. Исток и сток изготавливались из молибдена, а выравнивание их контакта с затвором было произведено с помощью множественного распыления и травления.

Новый транзистор принадлежит к функциональному типу, наиболее распространенному при изготовлении микропроцессоров. Авторы разработки надеются, что в будущем им удастся изготовить на основе арсенида галлия-индия полноценный микрочип с рекордной плотностью транзисторов.

Ранее другая группа инженеров (также из MIT) применила для создания набора электронных устройств другой необычный материал — двумерный сульфид молибдена, иногда называемый самым известным конкурентом графена.