миниатюрный МОП-транзистор Рекорд миниатюризации удалось установить благодаря применению арсенида галлия-индия. Этот материал широко известен в электронике, но применяется в основном для изготовления лазеров, СВЧ-генераторов, фотодатчиков и светодиодов, а при изготовлении подобных транзисторов ранее не использовался.
При этом эксперты использовали существующие методы обработки — эпитаксию и травление электронным лучом. Исток и сток изготавливались из молибдена, а выравнивание их контакта с затвором было произведено с помощью множественного распыления и травления.
Новый транзистор принадлежит к функциональному типу, наиболее распространенному при изготовлении микропроцессоров. Авторы разработки надеются, что в будущем им удастся изготовить на основе арсенида галлия-индия полноценный микрочип с рекордной плотностью транзисторов.
Ранее другая группа инженеров (также из MIT) применила для создания набора электронных устройств другой необычный материал — двумерный сульфид молибдена, иногда называемый самым известным конкурентом графена.
13.12 02:36
20
Лучшие космические снимки 2012 года
26.11 17:18
17
Редкие звери в объективе камер-ловушек
13.11 17:54
22
Собачий дизайн
09.10 04:39
44
Мила Кунис — «Мисс Сексуальность»
08.10 23:59
42
Кадры из фильма «Хоббит: Нежданное путешествие»
08.10 18:22
25
Тропические сады-теплицы в Сингапуре