В основе разработки лежит способность ячеек памяти восстанавливаться под воздействием высоких температур. Исследователи подвергли ячейки краткосрочному сильному нагреванию (несколько миллисекунд при температуре 800 градусов Цельсия) и обнаружили, что после такой процедуры количество циклов перезаписи чипов флэш-памяти MLC NAND возрастает с 10 тысяч до ста миллионов и более.
Разработчики расположили нагреватели прямо на схеме таким образом, чтобы каждый из них охватывал лишь небольшую группу ячеек. Вводить нагреватели в действие планируется поочередно. При этом устройство, в котором задействована плата (например, смартфон), должно быть подключено к источнику питания, но пребывать в неактивном состоянии.
Рассказать о своей разработке в подробностях представители Macronix планируют на конференции IEDM, которая пройдет в Сан-Франциско 10-12 декабря.
Флэш-память используется в мобильных устройствах, SSD-дисках и USB-накопителях. Существуют различные методы продления срока ее службы. Один из них — «Wear levelling» («Нивелирование износа») — подразумевает поочередное использование всех сегментов памяти вместо постоянной работы с одними и теми же ячейками, пишет Lenta.Ru.