Разработана оперативная память нового поколения

Методика получила название Advanced Random Access Memory, или A-RAM. Предполагается, что со временем она заменит широко распространённую динамическую память с произвольным доступом (DRAM), конструкция ячеек которой предусматривает использование одного или двух конденсаторов и одного транзистора. Проблема заключается в том, что по мере миниатюризации микросхем уменьшать размер конденсаторов становится всё сложнее.

В ячейках памяти A-RAM конденсатор вообще не применяется, что позволяет решить проблему внедрения более «тонких» техпроцессов. Кроме того, A-RAM обеспечивает высокую энергетическую эффективность, большие скорости передачи данных и открывает путь для дальнейшего наращивания ёмкости конечных изделий.

Теоретическая модель A-RAM была предложена в 2009 году, а теперь исследователям удалось доказать возможность её практической реализации.

Технология A-RAM защищена десятью международными патентами. Интерес к ней уже проявили производители компьютерной памяти, в том числе Samsung, Hynix и Micron.