запись слова THINK с применением новой технологииНынешние запоминающие устройства используют ферромагнитные материалы, спин атомов у которых ориентирован в одном направлении. Учёные IBM экспериментировали с нетипичной формой магнетизма, называемой антиферромагнетизмом. В этом случае спин атомов ориентирован в противоположных направлениях. Благодаря этому намагниченность тела в целом очень мала, что позволяет многократно повысить плотность хранения информации.
Для формирования одного бита информации из 12 атомов использовался сканирующий туннельный микроскоп. Поскольку подобная структура остаётся стабильной только при очень низких температурах, близких к абсолютному нолю, для надёжного хранения данных при комнатной температуре потребуется около 150 атомов на один бит.
IBM отмечает, что технология теоретически позволяет формировать накопители, плотность хранения информации которых как минимум в 100 раз превосходит показатели современных винчестеров и твердотельных дисков.
Исследователи полагают, что на создание опытных образцов запоминающих устройств, использующих предложенную методику, уйдёт от пяти до десяти лет.
14.05 01:47
44
Передвижная выставка «Гений да Винчи» в Москве
24.04 06:19
42
Кадры из фильма «Белоснежка и охотник»
24.04 04:23
14
Лучшие подводные снимки 2012
17.04 01:04
56
Кадры из фильма «Мстители»
26.03 21:38
25
Кэмерон на дне Марианской впадины
02.03 05:23
35
Mobile World Congress 2012 в Барселоне