Предложен способ промышленного получения графеновой подложки

Для производства подложки ученые использовали собственную технологию конденсации нитрида бора из газообразного состояния. Графен перед нанесением на подложку обрабатывали водородом так, чтобы гидрировать все оборванные связи, которые возникают на краях атомного монослоя. Благодаря такой обработке авторам удалось снизить напряжение в графене и уменьшить сминание материала при наложении на нитрид бора. Качество соединения графена и подложки затем было проверено с помощью спектроскопии и измерения подвижности электронов.

Разработанная авторами технология позволяет производить пригодный для наслоения нитрид бора размером со стандартную для кремниевой электроники подложку. Авторы надеются, что разработанную технологию можно будет непосредственно применить для производства процессоров на основе графена.

Подложка служит основой, на которой создаются микроскопические полупроводниковые устройства. У стандартных кремниевых процессоров такой подложкой служит монокристалл кремния, на поверхности которого с помощью фотолитографии создают микроскопические диоды, транзисторы и другие элементы.

Для графена подложка из кремния не подходит, так как кристаллические решетки кремния и графена сильно отличаются друг от друга. В качестве подложки для графена ученые часто используют нитрид бора, имеющий очень похожую на графен гексагональную кристаллическую решетку (иногда его даже называют белым графеном).

Для промышленного производства электроники на основе графена необходимо иметь работающую технологию производства подложки соответствующего размера. До сих пор ученым удавалось получать лишь микроскопические участки нитрида бора, подходящие для наложения монослоя атомов графена.